外延
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砷化镓外延片
GaAs epitaxial wafer[1] 在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等。 工业选择取决于器件结构等因素,一般LPE、VPE多用于商品化器件,如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于量子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之...
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外延片
外延片是指用外延工艺在衬底表面生长薄膜所生片的单晶硅片。一般外延层厚度为2-20微米,作为衬底的单晶硅片厚度为610微米左右。 外延工艺:外延生长技术发展于20世纪50年代末60年代初,为了制造高频大功率器件,需要减小集电极串联电阻。生长外延层有多种方法,但采用最多的是气相外延工艺,常使用高频感应炉加热,衬底置于包有碳化硅、玻璃态石墨或热分解石墨的高纯石墨加热体上,然后放进石英反应器中...
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网贷催收说的外延是什么意思
网贷催收说的外延是指风险评估和预授信后，借款人在线上进行贷款申请及后续。外延是一个逻辑学名词，是一个共相的外在内容，当一个共相不对应任何对象时，称作该共相的外延是空白的。网贷，外文名是Internetlending，p2p网贷是网络贷款的简称，包括个体网络借贷和商业网络借贷。P2P网贷是指个体和个体之间通过互联网平台实现的直接借贷。它是互联网金融（ITFIN）行业中的子类...