GaAs epitaxial wafer[1]
　　在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等。
　　工业选择取决于器件结构等因素,一般LPE、VPE多用于商品化器件,如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于量子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。

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