Admin存储单元一般应具有存储数据和读写数据的功能,一般以8字节作为一个存储单元。每个单元有一个地址,是一个整数编码,可以表示为二进制整数。程序中的变量和主存储器的存储单元相对应。变量的名字对应着存储单元的地址,变量内容对应着单元所存储的数据。指针的内容是存储地址在存储器中有大量的存储元,把它们按相同的位划分为组,组内所有的存储元同时进行读出或写入操作,这样的一组存储元称为一个存储单元。一个存储单元通常可以存放一个字或若干个字节;存储单元是CPU访问存储器的基本单位。
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1 之存储单元
2 世界上最小的静态存储单元在美国问世
3 参考资料
存储单元-之存储单元
地址上存储单元的过程
在计算机中最小的信息单位是bit,也就是一个二进制位,8个bit组成一个Byte,也就是字节。一个存储单元可以存储一个字节,也就是8个二进制位。计算机的存储器容量是以字节为最小单位来计算的,对于一个有128个存储单元的存储器,可以说它的容量为128字节。
如果有一个1KB的存储器则它有1024个存储单元,它的编号为从0-1023。
2008年05月09日星期五下午06:35存储器被划分成了若干个存储单元,每个存储单元都是从0开始顺序编号,如一个存储器有128个存储单元,则它的编号就是从0-127。
存储单元-世界上最小的静态存储单元在美国问世
世界上最小的静态存储单元
2008年8月18日,美国IBM公司、AMD以及纽约州立大学Albany分校的纳米科学与工程学院(CNSE)等机构共同宣布,世界上首个22纳米节点有效静态随机存储器(SRAM)研制成功。这也是全世界首次宣布在300毫米研究设备环境下,制造出有效存储单元。
SRAM芯片是更复杂的设备,比如微处理器的“先驱”。SRAM单元的尺寸更是半导体产业中的关键技术指标。最新的SRAM单元利用传统的六晶体管设计,仅占0.1平方微米,打破了此前的SRAM尺度缩小障碍。
新的研究工作是在纽约州立大学Albany分校的纳米科学与工程学院(CNSE)完成的,IBM及其他伙伴的许多顶尖的半导体研究都在这里进行。IBM科技研发部副总裁T.C.Chen博士称,“我们正在可能性的终极边缘进行研究,朝着先进的下一代半导体技术前进。新的研究成果对于不断驱动微电子设备小型化的追求,可以说至关重要。”
22纳米是芯片制造的下两代,而下一代是32纳米。在这方面,IBM及合作伙伴正在发展它们无与伦比的32纳米高K金属栅极工艺(high-Kmetalgatetechnology)。
从传统上而言,SRAM芯片通过缩小基本构建单元,来制造得更加紧密。IBM联盟的研究人员优化了SRAM单元的设计和电路图,从而提升了稳定性,此外,为了制造新型SRAM单元,他们还开发出几种新的制作工艺流程。研究人员利用高NA浸没式光刻(high-NAimmersionlithography)技术刻出了模式维度和密度,并且在先进的300毫米半导体研究环境中制作了相关部件。
与SRAM单元相关的关键技术包括:边带高K金属栅极、<25纳米栅极长度晶体管、超薄隔离结构(spacer)、共同掺杂、先进激活技术、极薄硅化物膜以及嵌入式铜触点等。
据悉,在2008年12月15至17日美国旧金山将要举行的IEEE国际电子设备(IEDM)年会上,还会有专门的报告来介绍最新成果的细节。
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