AdminHIT电池是日本Sanyo公司发明的异质结电池的一种,其特点是再发射极和背面高浓度掺杂层与基片之间添加了一层本征非晶硅层。HIT电池是单结晶硅和非晶型硅的混合太阳电池,制造工艺温度低、钝化效果好,具有很好的发展前景。现在人们有些习惯于用HIT表示异质结电池。
低温制备:成本优势
发射极很薄:低吸收
宽带隙发射极:低吸收,高Voc
高Voc:高转换效率
低温度系数(转换效率对温度不敏感):在温度高地区使用
高耐辐射性能:可应用在宇宙空间中
1.硅片清洗制绒
2.正面用PECVD制 备本征非晶硅薄膜 和P型非晶硅薄膜
3.背面用PECVD制备 本征非晶硅薄膜和N 型非晶硅薄膜
4.在两面用溅射法 沉积透明导电氧化 物薄膜
5.丝网印刷制备电 极
1 非晶硅太阳电池的研究,现在主要着重于改善非晶 硅膜本身性质,以减少缺陷密度。严格控制a-Si/cSi界面质量,不断降低缺陷态密度。
2 优化光陷,降低反射率。
3 提高透明导电膜的电导率,透射率。
4 降低金属栅线的接触电阻。
免责声明：本站文字信息和图片素材来源于互联网，仅用于学习参考，如内容侵权与违规，请联系我们进行删除，我们将在三个工作日内处理。联系邮箱：chuangshanghai#qq.com（把#换成@）