Admin 这个是电路控制中的说法。在很多自动化设备中,电路最终都需要对一些执行部件(如电机、电磁铁)实施控制,电路对这些执行部件的控制可通过继电器、双向晶闸管、晶体管等开关器件进行,因此对于电路的输出端来说就有了与之对应的“继电器输出、双向晶闸管输出、晶体管输出”等类型。
晶体三极管输出特性曲线(共发射极)
晶体三极管是由形成二个PN结的三部分半导体组成的,其组成形式有PNP型及NPN型。我国生产的锗三极管多为PNP型,硅三极管多为NPN型,它们的结构原理是相同的。
三极管有三个区、三个电极。其中基区(三极管中间的一层薄半导体)引出基极b;两侧有发射区引出发射极e及集电区引出集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电结。在电路符号上PNP型管发射极箭头向里,NPN型管发射极箭头向外,表示电流方向。
基极电流Ib一定时,晶体三极管的Ic和Uce之间的关系曲线叫做输出特性曲线。曲线以Ic(mA)为纵坐标,以Uce(V)为横坐标给出,图上的点表示了晶体管工作时Ib、Uce、Ic三者的关系,即决定了晶体三极管的工作状态。从曲线上可以看出,晶体管的工作状态可分成三个区域。饱和区:Uce很小,Ic很大。集电极和发射极饱和导通,好像被短路了一样。这时的Uce称作饱和压降。此时晶体管的发射结、集电结都处于正向偏置。放大区:在此区域中Ib的很小变化就可引起Ic的较大变化,晶体管工作在这一区域才有放大作用。在此区域Ic几乎不受Uce控制,曲线也较为平直,此时管子的发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。截止区:Ib=0,Ic极小,集电极和发射极好像断路(称截止),管子的发射结、集电结都处于反向偏置。
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