mos管是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。 MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semicondctor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(lator)—半导体。G：gate栅极；S：sorce源极；D：drain漏极。MOS管的sorce（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的...
2026-06-18
