闩锁效应
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闩锁效应
目录 1 简介 2 原理分析 简介 闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的,当其中一个三极管正偏时,就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻,使寄生的三极管不会处于正偏状态。 静电是一种看不见的破坏力,会对电子元器件产生影响。ESD...
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任锁效应
应该是闭锁效应。 闭锁效应是某些器件或集成电路中发生像晶闸管那样的栅极能够控制导通、但是不能控制关断的一种现象，是造成IC失效的一种重要原因。 晶闸管的结构是p-n-p-n，它可看成是由两个BJT共用一个基区而组合起来的一种器件。它的栅极（控制极）电压可以触发晶闸管导通，但是栅极电压不能使晶闸管关断。对于器件 或者集成电路而言，如果其中存在有p-n-p-n这种晶闸管结构，只要有某些不定因素的触发, 使得p-n-p-n结构出现正向导通时，即产生很大的电流，并且再也不能自己关断...