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GAA,一般指全环绕栅极晶体管(Gate-All-Around FET)。GAA被广泛认为是鳍式结构(FinFET)的下一代接任者。 2022年6月,三星在官方声明中表示,已经开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产采用GAA晶体管架构的3纳米半导体芯片。而台积电表示,到2025年量产2纳米芯片时,才会采用GAA技术。另一家芯片制造巨头,英特尔将在其5nm工艺引入GAA架构,最快在2023年实现量产...
